国产EDA技术先驱 | 培风图南半导体

2026年9月1日-2日，由EDA²主办的第四届设计自动化产业峰会（IDAS2026）在上海张江科学会堂举行。本届峰会汇聚了来自工业和信息化部电子信息司副司长郭力力、上海市经济信息化委副主任俞文杰等政府部门领导，以及EDA²理事长、北京大学王润声教授等政产研核心力量。

作为国内领先的制造类EDA与TCAD软件供应商，培风图南（PFTN）受邀出席本次峰会，并由公司创始人兼董事长沈忱博士在主论坛发表《基于TCAD的虚拟工艺平台发布报告》，技术专家温馨博士在“工艺及制造使能论坛”发表《从FinFET到GAA：先进工艺演进与仿真技术挑战》的主题演讲。

本届IDAS2026峰会以“致远”为主题，其背后折射出国内半导体产业正在经历一场深层的切换。随着制程微缩逼近物理极限，产业正从“几何微缩”转向“时间缩微”，华为“韬定律”倡导的“逻辑折叠”成为后摩尔时代的核心路径。这推动产业核心矛盾从单纯追求制程演进，转变为如何利用EDA工具释放系统潜力。峰会上凸显了三维集成、AI赋能与系统级协同三大趋势：竞争胜负手已不在单一节点，而在系统级（STCO）跨层级联合建模能力；芯片复杂度与设计效率的“剪刀差”则亟需AI双向赋能。

在政策层面，上海市已明确提出将加速EDA/IP攻关突破，加强AI-EDA等前沿技术创新，加快打造具有国际影响力的集成电路设计自动化创新高地。与此同时，国产晶圆厂工艺路径与国际产生“分岔”发展，国际巨头通用TCAD工具已难以完全适配本土差异化工艺路线。据行业观察，客户对具备深度协同研发能力的国产TCAD供应商的需求正日益刚性化。

在这一背景下，以培风图南为代表的国产制造类EDA企业，正迎来从“点工具替代”向“全流程、跨层级、强协同”工业软件底座升级的战略窗口期。

全球半导体进入3nm及以下先进工艺阶段，行业面临研发成本飙升、创新周期拉长的困境。为此，EDA²联合培风图南打造虚拟半导体工艺平台，以数字化手段破解工艺研发痛点，支撑国内半导体自主正向研发。据了解，该平台属于EDA²创新基础设施，依托虚拟化仿真搭建材料-工艺-器件-设计全链条研发体系，服务科研机构与企业，构建“虚拟仿真-技术验证-产业应用”产业循环。

本次峰会上，培风图南创始人沈忱博士通过《基于TCAD的虚拟工艺平台发布报告》完成平台正式对外发布，为产业创新提供重要基础设施支撑。沈忱博士在主题报告中系统阐述了公司自主研发的虚拟工艺平台架构，该平台通过覆盖化学机械抛光、沉积、光刻、刻蚀、离子注入、热退火等完整工艺流程，能够实现从校准到预测、再到优化的正向研发闭环。其核心技术价值在于：当国内晶圆厂面临工艺路线分岔、实测数据缺失的困境时，平台可以避免高达百亿美元的试错损失，为工艺路线选择提供预测性决策支撑。

在“工艺及制造使能论坛”上，培风图南温馨博士深入解析了从FinFET到GAA（全环绕栅极）先进工艺演进中的仿真技术挑战。面对FinFET向 GAA、CFET演进带来的新挑战，培风图南持续推进先进工艺与器件仿真技术创新，构建覆盖跨尺度、多物理场的TCAD仿真能力。通过GPU并行加速、分层器件模型及Block-level DTCO，平台可支持先进制程的高效仿真与流片前综合评估。结合AI与数字孪生技术，进一步赋能工艺优化、良率提升、风险预测及制造决策。

从行业视角审视，培风图南此次亮相具有深层意义。长期以来，先进工艺仿真与器件建模工具高度集中于海外少数厂商，而培风图南自研的MozzTCAD软件，是国内少数实现商业化落地并持续迭代的制造类EDA产品。

沈忱博士此前曾指出，TCAD以全场景仿真能力，为我国探索“非EUV技术路线”提供了可靠的技术验证手段。在“韬定律”效应持续显现、国内晶圆厂工艺路径与国际产生“分岔”的背景下，国际巨头的通用TCAD工具已难以完全满足本土差异化工艺路线的仿真需求，客户对具备深度协同研发能力的国产TCAD供应商的需求日益刚性。

作为国内领先的TCAD软件厂商，培风图南正在通过打通从原子-纳米-微米-米级的工艺仿真体系，成为晶圆厂、封测厂、设备厂商和设计公司的协同创新纽带，构建以TCAD+DTCO、虚拟晶圆厂、封装仿真、光电融合四大产品线为支柱的全栈EDA与系统仿真公司。目前公司核心产品MozzTCAD是国内唯一支持先进逻辑器件（FinFET、Nanosheet）的3DTCAD仿真工具，已通过行业龙头客户验收，且在部分应用场景已实现对国际标杆产品的性能反超。公司迄今已获得哈勃投资、深创投、汇川产投、张江高科等十余家机构的数亿元投资，并入选国家潜在独角兽企业名单。