国产EDA技术先驱 | 培风图南半导体

2026年7月22日至24日，第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨先进封装技术创新与产业链协同发展论坛在扬州圆满落幕。本届年会以“先进封装技术创新与产业链协同发展”为主题，汇聚了全国600余名专家学者及企业代表，围绕功率半导体封装技术迭代、产业链上下游协同等议题展开了深入交流。

上海培风图南半导体有限公司（以下简称“培风图南”）全程参与本次盛会，在B8展位集中展示了全系列制造类EDA软件产品，并带来题为《半导体功率模组的电-热-力多物理场耦合仿真：从芯片精细损耗到全生命周期寿命预测》的专题演讲，与业界同仁共同探讨功率半导体可靠性设计的前沿路径。

展会期间，培风图南展位吸引了众多专业技术人员驻足交流，技术团队与来自设计、制造、封装等环节的参会代表就功率半导体可靠性设计中的实际痛点展开了深入讨论。与会嘉宾对培风图南在TCAD仿真及多物理场耦合分析领域的技术积累表现出浓厚兴趣，展位现场交流气氛热烈。

7月23日，培风图南技术专家发表了题为《半导体功率模组的电-热-力多物理场耦合仿真：从芯片精细损耗到全生命周期寿命预测》的专题报告，系统阐述了多物理场耦合仿真技术在功率模组设计中的前沿应用。报告指出，随着功率模块应用场景持续拓展及宽禁带器件快速发展，低感、低热阻和高可靠的封装设计正面临严峻挑战。功率模块在工作中因温度分布不均及各层材料热膨胀系数差异，易产生交变热应力，进而引发焊层疲劳、键合线脱落等失效模式。如何精准预测功率模组在全生命周期内的可靠性，已成为行业亟待突破的关键课题。基于Mozz TCAD平台，培风图南团队展示了从芯片级精细损耗建模、封装结构热力耦合分析，到全生命周期寿命预测的完整技术路径，为功率半导体器件的可靠性设计与优化提供了全新的预测性仿真思路。

三天的展会虽已落幕，但交流与探索仍在延续。感谢每一位莅临培风图南展区的朋友，培风图南团队将持续跟进会上收集的每一份需求，以国产EDA工具链持续赋能功率半导体产业升级。